STMicroelectronics NV (NYSE: STM, ISIN: NL0000226223), con sede a Ginevra, Svizzera, e Soitec, sviluppatore e produttore di materiali semiconduttori quotati in borsa, hanno annunciato oggi una collaborazione.

Soitec, con sede a Bernin (Francia), approfondisce la collaborazione con STMicroelectronics nel campo dei substrati in carburo di silicio (SiC). La qualifica di ST per la tecnologia dei substrati SiC di Soitec è pianificata nei prossimi 18 mesi.

L’obiettivo di questa collaborazione è che STM adotti la tecnologia SmartSiC di Soitec per la futura produzione di substrati da 200 mm, che l’azienda utilizzerà nella produzione di componenti e moduli. Anche la produzione in serie è prevista a medio termine.

SmartSiC utilizza la tecnologia SmartCut di Soitec per dividere e incollare strati sottili di wafer “donatori” SiC di alta qualità a wafer “maniglia” PolySiC a bassa resistenza.

Il substrato risultante migliora le prestazioni del dispositivo e la resa produttiva. I wafer possono essere riutilizzati molte volte, riducendo il consumo energetico complessivo per la loro produzione.

“La transizione ai wafer SiC da 200 mm offrirà vantaggi significativi ai nostri clienti del settore automobilistico e industriale mentre accelerano la transizione verso l’elettrificazione dei loro sistemi e prodotti. Questo è importante per ottenere economie di scala man mano che i volumi dei prodotti aumentano”, ha affermato Marco Monti, President Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics.

“Abbiamo scelto un modello integrato verticalmente per massimizzare la nostra esperienza in tutta la catena di produzione, dai substrati di alto valore alla produzione fronte e retro su larga scala. L’obiettivo della partnership tecnologica con Soitec è quello di migliorare ulteriormente la resa e la qualità della nostra produzione.”